Si、SiC、GaN MOSFET和IGBT
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宽禁带半导体是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓）、AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。
发展较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN，其中SiC的发展更早一些，碳化硅SiC、氮化镓GaN、硅Si以及砷化镓GaAs的一些参数如下图所示：
SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs，相应的本征载流子浓度小于Si和GaAs，宽禁带半导体的最高工作温度要高于第一、第二代半导体材料。击穿场强和饱和热导率也远大于Si和GaAs。具有的物理参数的组合，使它们比硅更适合功率器件。
在电力电子应用领域中，1000V以上以IGBT及SiC MOSFET为主，而600V以下人们会考虑使用Si MOSFET或者是GaN。而在600V~1000V这个电压区间，则是SJ-MOSFET, GaN, SiC MOSFET三分天下。那么如何定位这三类器件各自的优势及应用领域？
Si、SiC、GaN 在600V和650V的电压等级和价值定位取决于应用需求，Si、SiC、GaN 在600V和650V电压等级都能发挥各自的价值。
SiC和Si在许多应用中互为补充，且能实现新的解决方案，主要面向600V-3.3kV，其特点是高功率高开关频率。
GaN为电源应用和音频保真开启新了新的维度，主要面向100-650V，其特点是中等功率，开关频率最高。
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