大幅降低EMI的超级吸收二极管

      经常使用反激开关电源拓扑的工程师伙伴可能都有过被MOS  Vds尖峰电压困扰过的经历，受体积和成本限制，功率稍微做大一点就会出现比较高的Vds尖峰电压和过长时间的振荡，我们常用的方法就是在二极管上串电阻，但有时因为电阻损耗大的问题，还是感觉会有一种无力感。

      那么 MOS尖峰真的可以通过改变一下二极管型号就可以吸收干净吗？而且还对辐射传导有用？

      不可能吧，哪有那么强大的二极管？

      今天的干货介绍的二极管就是这么强，我们用波形和数据说话：

一、吸收效果对比（只换二极管测试）：

1、普通F7（FR107黄色波形）和CMD601S（白色波形）吸收效果对比：

2、普通A7（1N4007，黄色波形）和CMD601S（白色波形）吸收效果对比：

可见CMD601S相对于常见的A7和F7大大减小了Vds尖峰电压和振荡时间，很好的提高了整体方案的稳定性。

二、传导辐射对比（只换二极管对比测试）：

1、普通A7（1N4007）和CMD601S 的EMI之传导对比（绿、蓝色：CMD601S，棕、橙色：A7）：

2、普通F7（FR107）和CMD601S的EMI之辐射对比（CDN测试：绿色：CMD601S，棕色：F7）：

3、普通A7（1N4007）和CMD601S的EMI之辐射对比（CDN测试：绿色：CMD601S，棕色：F7）：

三、36W-12V3A适配器方案温升测试：

测试条件：带壳置于密闭环温40℃，满载12V3A输出

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