维安（WAYON）SGT（屏蔽栅沟槽）工艺 MOSFET，低压大电流强项——Rds(on) 低至 1mΩ（0.5mΩ 级），Id 最高 300A，兼具低导通电阻与低栅极电荷，开关损耗低、高频效率优，适用于 DC-DC 变换、服务器电源、电机驱动、BMS 等低压大电流场景。
| Vds（漏源电压） | 30 – 100 V |
|---|---|
| Id（漏极电流） | 40 – 300 A |
| Rds(on) 典型 | 低至 1 mΩ（0.5mΩ 级） |
| 工艺 | SGT（屏蔽栅沟槽） |
| Qg（栅极电荷） | 低 Qg（详见规格书） |
| 核心特性 | 低压大电流 / 低损耗 / 高频 |
| 封装 | PDFN / LFPAK / TO-252 |
* 具体型号与参数以原厂 Datasheet 为准，越加红可提供选型对比与完整规格书。
同步降压/升压主开关
大电流母线变换
BLDC 逆变器桥臂
电池管理充放电开关
