经常使用反激开关电源拓扑的工程师伙伴可能都有过被MOS Vds尖峰电压困扰过的经历，受体积和成本限制，功率稍微做大一点就会出现比较高的Vds尖峰电压和过长时间的振荡，我们常用的方法就是在二极…
越加红上半年销售额同比2022年增长6.96%！小越越 越加红电子 2023-07-13 16:35 发表于广东点击蓝字关注我们半年简报 2023年，在半导体严重内卷的赛道，越加红秉着“优选元器件，就找越加红…
低成本，高可靠，高效率，高P两级无频闪方案小越越 越加红电子 2023-05-11 17:38 发表于广东点击蓝字关注我们随着照明行业的高速发展，人们对照明灯具性能的要求越来越高。且新ERP、新国标对PF、…
四月审厂热潮—晶导微获得多家大客户好评与认可！Part1耐比特&迈思普到访晶导微 4月18日，耐比特唐总、迈思普周总携研发部、品质部、采购部同事莅临山东晶导微指导审厂工作，审查了各…
精彩盛会丨越加红亮相2023大比特展小越越 越加红电子 2023-03-24 18:04 发表于广东精彩盛会丨越加红亮相2023大比特展 2023年3月24日，“新电源 智能域 赋能“芯”生态-2023中国电子热点解决…
碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。SiC六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高热传导系数的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料。S…
越加红对高端客户和产品推出TOF手势识别方案，以下是这款手势识别模块的功能和效果。 这款高端光学手势识别模块可以识别六种不同手势，通过串口把手势的编码上报给主控单元。六 种不同的手势…
1SiC（碳化硅） 碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。SiC六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高热传导系数的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件…
宽禁带半导体是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼…
1ESD的基本概念静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(几千…
